1）目前，光通信器件产业在整个通信产业链中处于相对弱势地位，产业生态环境欠佳，影响企业自身造血能力， 不利于前沿技术研究，不利于产业可持续发展。需要继续加强信息基础设施建设投入，并统筹产业布局，优化产品结构。

2）攻关高端芯片/器件，保障供应链安全。目前，高端光芯片、模块、器件严重依赖进口，发展受到制约。国内的产学研没有形成面对产业需求的创新合力， 高校和研究所偏离产业的现实需求。应健全以企业为主体、市场为导向、政产学研用相结合的产业技术创新体系，着力突破重点领域共性关键技术，加速科技成果转化为现实生产力。

3）加强国际市场，推动产业国际化发展。目前，光通信器件产业对国内市场的依赖较大，国际化空间有待拓展，而且面临贸易、安全、专利等多重挑战。需借助国家 “一带一路”战略，积极培育亚洲、非洲的光通信市场，促使其加强网络建设投入，并且通过国外建厂实现国际化生产，通过国外建设研究中心实现国际化研发。

4）重视发展趋势，着眼长远发展，超前规划布局。

遵循科技创新与市场发展规律，着眼长远发展，超前规划布局。重视基础研究，通过原创性、基础性、先导性技术的突破，加大投资保障力度。核心技术是产业“命门”。光通信器件产业核心技术必须掌握在中国手中，“大产业”才可能变成“强产业”。

进行产业结构调整布局，加强对创新技术与产品的优化与引导，并适当引入国际化运营经验，增强行业的综合实力。

1）产品由低端走向高端——以市场为导向，优化产品结构

我国光通信器件企业在接入网领域无论是产业规模还是技术上均处于世界领先地位，但是接入网产品属于中低端产品。在传输和数据通信领域，我国企业的产品技术水平仍处于较落后状态。依据未来市场发展趋势，我国光通信器件企业应重点加强 100Gb/s 光收发模块、ROADM 产品、高端光纤连接器、10Gb/s 与25Gb/s 激光器、配套集成电路芯片的研发投入与市场突破，并争取尽快扩大产业规模、早日摆脱对国外供应商的依赖。并且在下一代 400Gb/s 光收发模块产品、硅光集成领域加大投入、加快研发进度，争取跟国际一流厂商处于并跑状态。

2）技术由组装走向核心芯片——补齐上游短板，夯实产业基础

光收发模块的核心技术在于光电子芯片。我国大多数光通信器件和模块企业依靠中国较为低廉的人工和进入门槛较低的封装技术在市场上生存。随着中国人工费用的上升和国外智能制造技术的发展，若使国内光器件企业拥有长远发展能力，必须建立自己的光电子芯片研发和制造能力，包括激光器芯片、光探测器芯片、集成电路芯片、光子集成芯片。

光电子芯片产业是整个信息产业的核心部件与基石，芯片行业进入壁垒高， 投入大、研发周期长，难度大，尤其是芯片的材料生长、芯片设计、芯片工艺经验积累，迫切需要国家整合国内的产学研融资源，解决行业共性技术、关键技术瓶颈，确保在 2022 年中低端光电子芯片的国产化率超过 60%，高端光电子芯片的国产化率突破 20%。

3） 市场从国内走向国际——发挥产业链下游优势，拓展新兴市场

充分利用低成本和集成能力，发挥我国在产业链下游系统设备、运营商环节已有的优势，积极向新兴市场拓展，持续扩大产业规模。积极培育亚洲、非洲的光通信市场，在“一带一路”战略中更重视信息基础设施建设，促使其加强网络建设投入，带动光通信器件市场需求。并与政府形成合力，冲破西方从贸易、安全、知识产权等多方面所设置的针对中国的竞争壁垒，促进国产系统设备进入发达国家市场。

4）培育龙头领军企业和新兴中小企业——壮大薄弱环节产业群体

培育龙头领军企业，在核心技术开发、标准制定等多方面带动产业做大做强。培育具有原创核心技术和自主知识产权的新兴中小企业。在政策、资金等资源上予以倾斜，强调比较优势和差异化竞争。强化全球资源整合能力，支持企业在供应链、战略方向与资源布局合作，有效利用全球各地区的资源。争取 2020 年有2-3 家企业进入全球光通信器件前十强，并且在核心技术能力上接近、部分领域超过行业标杆企业。2022 年国内企业占据全球光通信器件市场份额的 30%以上， 有 1 家企业进入全球前 3 名。

5）推动上下游产业链互联互通——规范产业环境，构建产业生态

传统封闭的产业生态体系限制了创新，融合变革形式下，竞争日益需要综合性资源与能力，构建涵盖开放的产业生态系统。我国光通信器件产业更应加强上下游联动，一方面，推动国内系统设备厂家优先选用国产光器件，充分发挥国内市场、优质设备商的带动作用；另一方面，产业链上下游可以共同开展技术研发，

建立测试平台，共同培育应用生态，参与国际标准制定，从而共同提升主导能力。

我国的半导体激光器产业化水平是光通信产业链中最薄弱的环节，高端激光器芯片（主要指 25Gb/s 以上）几乎全部依赖进口。25Gb/s 激光器芯片、硅基100Gb/s/200Gb/s 相干光收芯片、WSS 芯片以及配套的半导体集成电路（IC）研发所需要的，可工程化的Ⅲ-Ⅴ族材料工艺、硅基光电子工艺平台能力，是制约国内企业与研究机构在核心芯片上快速创新的瓶颈，也是制约国产芯片大规模应用的主要瓶颈。需要通过搭建共性技术研发平台、加大人才的储备、引进海外高端人才的方式加快补齐短板。

绕宽带中国、中国制造 2025 以及 5G 移动通信项目，重点攻关高密、高速、可调等高端光电子器件产品的封装工艺技术，解决异质材料光波导间的阵列耦合设计与工艺技术、异质材料间的高速电信号匹配与高速封装工艺技术、III-V 族器件与硅基器件的高性能集成、光波导间低损耗、低回损耦合技术等封装技术问题。以优势企业为主体尽快推出光传输网络用的 100Gb/s/200Gb/s 相干光收发模块和 ROADM 产品，数据中心用 200Gb/s/400Gb/s 光收发模块，以及 5G 移动通信用的工温 25Gb/s 光收发模块等，并形成规模化量产，支持国家重大工程的实施。

建立完善的光通信系统及光通信器件标准体系，鼓励科研院所、企业积极参与提交国际和国内技术标准标准草案，深入参与国际标准化工作、加强行业协会的团体标准建设，推动自主知识产权成果转化为国际标准。加强光通信器件专利申报，确保专利申报数量与美、日差距缩小，并与专利质量提升，建立国内专利池，在国际竞争力形成合力。