生产上的具体问题是，对大批量测试数据进行分析时，数据分析员总会发现有一些盘子（8X8的TO老化测试板）上的产品连续几  颗甚至一盘TO的Ith变化率＞10%（老化前后保持严格一一对应），而对应的光功率或者说SE（发光斜效率），以及Im的变化率却都符合判断标准。这对QC部门而言，会有标准和生产任务之间的矛盾，最后判定必然是：该批次不符合标准；那就必然不能留到客户端。

        可事实上，当QC指定当时测试的人员取该部分的问题TO进行复测的时候，企图能够复现相同的现象，并试图归因为芯片的问题或是制成上的问题，但大都铩羽而归，因为复测后会发现，该部分物料的测试指标又都符合标准了。那一般下的结论是，“怪”芯片不稳定。而事实上，真是这样子吗？

查阅多款相关芯片的资料，可以得知，半导体激光器芯片的Ith随温度升高而增大，其本质原因是由于温度升高，低能级的载流子的基础能量变大，因此在跃迁能级所需的能量不变的情况下，要发生粒子数反转所需外供的能量增大，即发生相同的光能量的时候，所需的驱动电流会增大，所以Ith会随温度升高而增大。

换句话说，在看似“常温”了的产品，极有可能尚未完全恢复到常温状态上，那么，所进行的测试比对是不具备条件一致性的前提的，因此，需规定一个比较接近生产合理需求的产品老化后冷却时间或者手段，来解决该生产上的问题。（小编想强调这个）

针对该问题，实际生产过程中，我们做了如下的验证：（条件：2.5GDFB  AVAGO TO-CAN 29PCS，85℃，85mA加电老化8小时后取出，测试板为带散热铝合金PCB板，做LIV老化前后参数对比）

光功率和背光电流值的变化比几乎不随出烤时间的长短而有超过10%的明显波动，从图7可观察，而Ith的变化比随出烤时间的推迟，有较大的下浮，并逐渐回落到10%以内，但是要求的出烤（冷却）时间必然比40分钟要大。

综上所述，随出烤时间逐渐推延，即产品温度逐渐下降，Ith才会恢复一个比较合理的测试指标，至于大于多少分钟才算合理，需要定制一个合理的冷却时间或者冷却手段。另外，本实验不完善的地方是，缺少单一产品温度随时间的变化情况分析。此前，小编尝试用热成像仪或其他测温设备测单颗产品的时刻温度，但都因设备精度问题，无法准确获得当下LIV测量时刻的温度。