实时监控系统记录耦合器制造过程中的瞬时耦合器输出功率,并计算耦合器的分光比和过程损耗。拉锥长度的输出功率记录数据形成拉锥特性。图 7显示了耦合器耦合端口的功率变化,作为监测波长为 1310 nm 和 1550 nm 的拉长的函数。这清楚地表明,随着拉力长度的增加(即耦合器腰部尺寸减小),分光比的变化速度会加快。与1310nm的伸长率相比,在较高波长时,功率变化速率变化速度仍然较快。在这里,用于制造耦合器的光纤（SMF-28e）在1310nm和1550nm波长下工作。

熔融单模耦合器的耦合动作是相互作用长度和工作波长的函数。这一事实很容易被利用来修改FBT耦合器的特性,通过定制设计参数来实现各种应用特定的器件。这种设计过程需要通过控制影响分光比的因素来彻底了解分光比的波长依存度及其优化。分光比的变化速率,即功率传输的速度变化速度取决于波长,决定了功率转移振荡的波长周期。这仅是耦合器结构的一个特性,可以通过在制造过程中控制锥形的形状来映射到目标要求。了解给定一组制造变量的信号(即监测波长的耦合特性)为控制分时形状提供必要的反馈,从而得出所需的波长周期 。从实时测量中获得的拉锥图形，可估计出制造所需分光比的分量组件所需的拉力长度,这也确立了制造过程中耦合的性质。控制和优化熔融耦合器的光谱分光比,可以产生许多不同类型的器件,如Tap分光器、波长相关复用器、波长扁平耦合器等。