测量对于量化制造部件在封装后的最终保证性能至关重要。这是由于在封装过程中,用于将耦合器与石英基板固定起来的光学胶水在固化过程中经常引入小拉伸张力。这通常会导致特征光学参数(如分光比和波长响应)的微小变化。

在制造过程中和之后测量分光比和过程损耗(如上所述)。除了测量EL、CR、IL和方向性,表征还包括测量所有组件的波长响应,以及波长隔离,尤其是WDM元件。图 6描述了为耦合比、IL 和偏正相关损耗设置的测量原理图。来自一叠源的光连接到 Nx1 光开关,后者又连接到偏正相关损耗控制器。可以选择多个波长,使波长均匀地间隔在所需的光谱范围内。偏正相关损耗控制器的输出拼接到被测耦合器上。耦合器的输出引线使用裸光纤适配器连接到两个通道检测器。InGaA 探测器又通过 DAC 卡连接到 PC。

为了测量耦合器的波长响应,宽带光源的光发射到输入光纤,输出连接到光谱分析仪 (OSA)。使用的宽带光源是 LED 光源。使用多个激光源进行测量的数据也可用于使用曲线拟合方法估计器件的光谱响应。对于通常在测量周期结束时执行的从定向端口输出功率的测量,两个输出端口浸入指数匹配液体中,以避免对菲涅尔反射的测量功率的影响。使用回反射计测量由于回反射到同一端口而产生的光学回波损耗。在这些器件中,光被发射到光纤上,并使用光学环形器带回光电探测器。 温度相关损耗 (TDL) 是另一个重要参数,它显示耦合器的插入损耗变化,当耦合器的温度在工作温度条件的最大值和最小值之间变化时。 设备的温度随合适的斜坡而变化,插入损耗在线监控。温度相关损耗的典型值为 0.2 dB。